PT5619 在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极

驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 

和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直

通保护，非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯

片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害，芯片内

部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进的高压

BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在

高 dv/dt 噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的

负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间，可以

通过对 ENB 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的

待机模式. 

特征

 内部集成 90V 三相半桥高边和低边驱动器

 内置了死区时间

 内置直通保护

 高边和低边驱动器内置欠压锁定

 兼容 3.3V, 5V,15V 三种逻辑电平

 ENB 引脚控制进入到待机模式

驱动器汲出/汲入电流: 1200mA/2000mA

 死区时间：0.5μs(typ.)

 优秀 dv/dt 共模噪声消除电路

 具有负瞬态电压忍受能力

 低 di/dt 栅极驱动特性，更好的 EMI 性能

 工作温度范围：-40℃ 至 125℃

 小尺寸封装：TSSOP20L/24L, QFN24