该器件为全桥驱动，用于控制最大阻断电压为600 V的三相系统中的MOS-晶体管或IGBT等功率器件。 在低端采用CMOS和LSTTL兼容的信号，可降至3.3V逻辑.该装置包括具有迟滞特性的欠压检测单元和过电流检测单元.爱 R-电流电平通过选择电阻值和在针iTrip处的阈值来调整.两种错误情况(欠电压和过电流)都会导致所有六个开关的关闭。 他是。在故障开路漏输出引脚处提供误差信号。过流后的阻塞时间可以通过RCIN引脚上的RC网络来调整.因此，电阻RRCIN是可选的。 典型的输出电流可以给出200 mA的拉起和400 mA的拉下，由于系统安全的原因，实现了0.29us的死区时间。输入的函数en和iTrip c 一种可选的扩展，使用外部ntc电阻器、二极管和电阻网络进行超温检测。