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 | PT 5606是一种高速高压(600 V)驱动器，用于控制半桥系统中的功率器件，如MOS-晶体管或IGBT。大 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，降低到3.3V逻辑。该装置包括具有迟滞特性的欠电压检测单元，并防止功率器件再次出现。 当栅极电压裕度不够高时，存在大量的传导损耗。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级，用于最小驱动交叉导通。这个 浮动沟道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，在高侧结构下工作电压可达600伏特。
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驱动两个igbt/mofet功率器件 高侧沟道完全运行600伏 栅驱动电源，从每通道10v到20v每通道 欠压锁定 高级输入滤波器 内置死区-t。 IME保护：0.5us IO/-：290/620 mA，大源电流绕过米勒效应?穿通(交叉传导)保护3.3V/5V/15v输入逻辑兼容的 匹配传播DELA。 所有通道 的Ys匹配死区 高压输出与HIN输入 低相位输出，LIN输入 能承受负暂态电压，dV/dt的抗扰度高达50V//。 NS 低di/dt栅极驱动器，以获得更好的抗噪性， -40°C至125°C操作范围 SOP8L封装，可提供无铅 |  |
产品应用：
1.电器电机驱动空调、洗衣机、冰箱、洗碗机、风扇
2.通用逆变器
3.电动自行车、电动工具
4.照明、开关电源
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