PN 7103是一种基于P_subP_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动电路。该浮动通道驱动器可用于驱动两个N沟道功率MOSFET或IGBT在半边。 可操作600 V的GE配置逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。该输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计。 最低限度的司机交叉传导。匹配传播延迟以简化在高频应用中的使用。

Fully operational to +600 V 

 3.3 V logic compatible 

 dV/dt Immunity ±50 V/nsec 

 Floating channel designed for bootstrap operation 

 Gate drive supply range from 10 V to 20 V 

 UVLO for low side channel 

 Output Source / Sink Current Capability 300 mA / 

600mA

 -5V negative Vs ability 

 Matched propagation delay for both channels