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 | MT8006是一种基于P_subP_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动电路。浮动沟道驱动器可独立驱动两个N沟道功率MOSFET或IGBT。 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动程序具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动。 呃交叉传导。传播延迟匹配以简化在高频应用中的使用。它有两个版本的MT8006A和MT8006B。 |
完全工作到300 V 3.3V逻辑兼容的 dv/dt免疫±50V/nsec 浮动通道，设计用于自举操作的 门驱动电源范围从12V到20V 输出源/ 汇电流容量450 mA/900 mA(vcc=15v) 独立逻辑输入，以适应所有拓扑 -5V负VS能力?匹配的传播延迟 |  |
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