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20A 650V N-通道增强模式电源MOSFET
-20N65AQ1|/F20N65AQ1|20N65DAQ1-
产品说明
20A 650V N-通道增强模式电源MOSFET-20N65AQ1/F20N65AQ1/ 20N65DAQ1通过自对准平面技术获得，降低了传导损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量。封装TO-220F。这符合RoHS的标准。
(详细内容请参考规格书)
规格
产品特征
? 快速切换
? 低电阻(Rdson≤0.5Ω)
? 低门电荷(Typ：57.7nC)
? 低反向传输电容(Typ：167pF)
? 100%单脉冲雪崩能量测试
? 100%ΔVDS测试
产品应用
? 用于各种电源开关电路，以实现系统的小型化和更高效率。
? 适配器和充电器的电源开关电路。
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