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  • N-通道增强模式电源MOSFET-F20N65AQ1

N-通道增强模式电源MOSFET-F20N65AQ1

F20N65AQ1

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20A 650V N-通道增强模式电源MOSFET

-20N65AQ1|/F20N65AQ1|20N65DAQ1-

F20N65AQ1.jpg

产品说明


20A 650V N-通道增强模式电源MOSFET-20N65AQ1/F20N65AQ1/ 20N65DAQ1通过自对准平面技术获得,降低了传导损耗,提高了开关性能,增强了雪崩能量。封装TO-220F。这符合RoHS的标准。

(详细内容请参考规格书)


规格


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产品特征


东海.jpg

? 快速切换

? 低电阻(Rdson≤0.5Ω)

? 低门电荷(Typ:57.7nC)

? 低反向传输电容(Typ:167pF)

? 100%单脉冲雪崩能量测试

? 100%ΔVDS测试




产品应用



? 用于各种电源开关电路,以实现系统的小型化和更高效率。

? 适配器和充电器的电源开关电路。


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