PT5618是一种高速功率MOSFET和IGBT三个独立的高低侧驱动器，三相门驱动器的参考输出通道。内置死区保护和穿透保护防止半桥损坏。当VCC和VBS低于指定的阈值电压。新颖高压BCD工艺与共模噪声取消技术提供高压侧的稳定运行高dv/dt噪声环境下的驾驶员优良的负瞬态电压耐受性。引脚EN专为待机模式设计，可用于启动芯片低静态电流状态，电池寿命长时间。

1.集成200V半桥高压侧驱动器

2.驱动器高达三相半桥门

3.内置死区控制

4.直通保护

5.VCC和VBS欠压锁定

6.3.3V、5V、15V输入逻辑兼容

7.内置输入滤波器

8.低待机电流

9.IO+/IO-:320mA/620mA

10.内置死区时间：0.55us（典型值）

11.共模dv/dt噪声消除电路

12.耐受负瞬态电压

13.低di/dt门驱动器，具有更好的抗噪声能力

14.工作范围-40°C-125°C

15.小尺寸包装：TSSOP 20P/24P，173mil