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霍尔元件
原材料:霍尔元件是由半导体做成的薄膜
器件架构:4个端子,包括两个输入及两个输出端子
原理:霍尔效应是由霍尔博士在1879年发现的
灵敏度高、体积小、重量轻、安装方便、价格便宜
锑化铟霍尔元件选型表 | ||||||
名称 | 型号 | 尺寸 | 封装 | 操作温度 ℃ | 输出电压 (Vc=1V,B=50m) | 样片 |
锑化铟 InSb | NHE520F/FR | 2.9*2.9*1.1 | SMD | -40~110 | 163~370mV | |
NHE520FSR | 2.9*3.83*1.1 | SMD | -40~110 | 168~370mV | ||
NHE524 | 2.9*2.9*3.17 | SMD | -40~110 | 168~370mV | ||
NHE528F | 2.1*2.1*0.8 | SMD | -40~110 | 168~370mV | ||
NHE525 | 2.1*3.1*0.8 | SMD | -40~110 | 168~370mV | ||
NHE529 | 2.1*2.7*1.57 | SMD | -40~110 | 168~370mV | ||
NHE312 | 2.8*15.1*1.6 | SMD | -40~110 | 168~370mV | ||
NHE313 | 2.8*15.1*0.9 | SMD | -40~110 | 168~370mV |
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